2019清华微电子832真题回忆

2021-01-15 0 77 百度已收录

考完试之后出去旅游了一趟,趁着还没忘真题,赶紧来这里写一写,供学弟学妹参考一下,2019年的832考题可以说是近十年来最简单的一次,真题重复率很高,没有偏题怪题。总体考察半导体物理器件,模电,数电三门课程,各占50分,今年一共有8道题目。
第一题是考察pn结电流(20分)求正向电流1毫安时的外加电压,在2010,2015年考察过此原题。第二题是场效应管Id电流相关(30分)分为4问,第一问是求w,第二问求饱和状态下的Id,第三问求非饱和状态下的Id,第四问求考虑饱和速度下的Id和沟道中最大电场,在2011-2018每年都考察过这道题。以上是半导体物理器件的50分,相比17年和18年疯狂考察半导体物理的知识,今年出题的老师简直宅心仁厚。第三题是模电的基础填空题(17分)有自激振荡条件,负反馈组态,滤波器选用,BJT三种组态等,题目几乎和2010和2016年差不多。第四题是一道基础共源放大题(13分)第一问求两个场效应管工作在什么区,第二问求输出阻抗,带宽增益积,输入阻抗等,这道题跟2016年的那道模电题有相似之处。第五题是运放计算题(20分)第一问简答理想运放的参数指标,第二问计算电压表达式,第三问忽略一个电阻变为积分电路,第四问求电压。此题在2015和2017年考察过,稍有变化。以上是模电的三道题,主要考察mos管放大和运放计算,2019年数电变化稍微大一点,摒弃以前传统的数制码制+卡洛图+门电路画图,变为了第六题(25分)简答题,问到了竞争冒险的产生,用4个与非门设计异或门,格雷码和8421转换,FPGA的中文解释和它含有的单元等。第七题是传统的施密特触发器题(10分)求正向反向的阈值电压,想必大家都烂熟于心。第八题是逻辑时序电路的分析(15分)基本的计数器分析,注意要把非循环状态考虑进来,在2010,2013,2015和2018都考察过类似问题。以上是数电内容,也不难,估计今年832会有很多120+的选手,我等只能听天由命了,为这场考试准备了小半年,我看到清华的考研的神秘性,几乎没有信息来源,前几年的报考人数,录取情况都没有明确的公布,真题也是花了好几个月拼拼凑凑弄到的,不以成败论英雄,初试到此结束了,坐等2月中旬出结果吧~~~~~一只坐在工作室喝咖啡的大四狗。

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